3 月 9 日晚間，聞泰科技發(fā)布公告稱(chēng)，全資子公司 NexperiaB.V.（“安世半導(dǎo)體”）于 2021 年設(shè)立了中國(guó)研究院，專(zhuān)注高壓功率器件、模擬 IC 等新產(chǎn)品研發(fā)方向。目前公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IGBT”）系列產(chǎn)品已流片成功，取得階段性重大進(jìn)展，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

公告顯示，IGBT 是電源轉(zhuǎn)換的核心器件，也是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐技術(shù)，具有開(kāi)關(guān)速度快、載流密度大等特點(diǎn)，并擁有廣泛的應(yīng)用市場(chǎng)，主要面向新能源汽車(chē)、光伏 / 風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、大功率電源、工業(yè)控制、家電產(chǎn)品等領(lǐng)域。其市場(chǎng)空間大、技術(shù)壁壘高且注重工程師經(jīng)驗(yàn)和品牌口碑積累，是半導(dǎo)體里的優(yōu)質(zhì)賽道。

聞泰科技表示，IGBT 流片成功后，仍需經(jīng)過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，后續(xù)量產(chǎn)計(jì)劃具有不確定性。目前公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)正常，各項(xiàng)業(yè)務(wù)有序開(kāi)展，公司將視相關(guān)產(chǎn)品及項(xiàng)目的進(jìn)展情況持續(xù)履行信息披露義務(wù)。

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