IT之家 6 月 5 日消息，ASML 已經(jīng)向英特爾交付世界首臺(tái)商用 High-NA EUV 光刻機(jī)并完成安裝，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）確認(rèn)這臺(tái)機(jī)器將于年內(nèi)正式啟用。
與之形成鮮明對(duì)比的是，全世界最大的芯片代工巨頭臺(tái)積電則似乎并不急于加入這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽。今年早些時(shí)候，臺(tái)積電在荷蘭舉行的一次活動(dòng)被問及是否有計(jì)劃購買類似機(jī)器時(shí)明確表示反對(duì)。
臺(tái)積電當(dāng)時(shí)提到，他們?cè)谖磥韼啄陜?nèi)都不需要這種高端的 EUV 光刻機(jī)，而且價(jià)格也實(shí)在是過于高昂。之前還有分析師預(yù)測(cè)，臺(tái)積電可能要到 2030 年甚至更晚才會(huì)采用這項(xiàng)技術(shù)。
經(jīng)過幾個(gè)月的爭(zhēng)議，臺(tái)積電似乎已經(jīng)改變觀念，至少 ASML 發(fā)言人莫妮克?莫爾斯（Monique Mols）稱該公司將于今年向臺(tái)積電交付價(jià)值 3.8 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 27.53 億元人民幣）的 High-NA EUV 光刻機(jī)。
她提到，ASML 首席財(cái)務(wù)官羅杰?達(dá)森（Roger Dassen）證實(shí) ASML 的兩大客戶臺(tái)積電和英特爾公司將在今年年底前收到 High-NA EUV 光刻機(jī)。受此消息影響，ASML 開盤后上漲逾 6%。
英特爾早在 2022 年就宣布已簽署合同購買了 5 臺(tái)這種設(shè)備（TWINSCAN NXE:3600D），用于在 2025 年生產(chǎn) Intel 18A 芯片。
就目前來看，先進(jìn)光刻技術(shù)是衡量芯片制造上限的關(guān)鍵因素，而這種 High-NA 光刻技術(shù)有望降低 66% 的尺寸大小。而在芯片制造領(lǐng)域，雖然目前的 3nm、5nm 已經(jīng)不代表實(shí)際柵極寬度，但肯定還是越小越好。
據(jù)悉，這款新型 EUV 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn) 0.55 數(shù)值孔徑，與此前配備 0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 系統(tǒng)（TWINSCAN NXE:3400B 和 NXE:3400C）相比，精度會(huì)有所提高，可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化。
ASML 官方曾透露，這種 High-NA 機(jī)器將比現(xiàn)有機(jī)器大 30%，而之前的機(jī)器已經(jīng)大到難以想象，甚至需要三架波音 747 來裝載它們。
臺(tái)積電此前宣布，其 2nm 節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利，并計(jì)劃于 2025 下半年推出 N3X、N2 制程，并將在 2026 下半年量產(chǎn) N2P 和 A16 制程。
與 3nm 制程節(jié)點(diǎn)不同，臺(tái)積電 2nm 制程將使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，臺(tái)積電稱相比 3nm 工藝會(huì)有 10% 到 15% 的性能提升，還可以將功耗降低 25% 到 30%。
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