IT之家 6 月 5 日消息，ASML 已經(jīng)向英特爾交付世界首臺商用 High-NA EUV 光刻機并完成安裝，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）確認這臺機器將于年內(nèi)正式啟用。
與之形成鮮明對比的是，全世界最大的芯片代工巨頭臺積電則似乎并不急于加入這場技術競賽。今年早些時候，臺積電在荷蘭舉行的一次活動被問及是否有計劃購買類似機器時明確表示反對。
臺積電當時提到，他們在未來幾年內(nèi)都不需要這種高端的 EUV 光刻機，而且價格也實在是過于高昂。之前還有分析師預測，臺積電可能要到 2030 年甚至更晚才會采用這項技術。
經(jīng)過幾個月的爭議，臺積電似乎已經(jīng)改變觀念，至少 ASML 發(fā)言人莫妮克?莫爾斯（Monique Mols）稱該公司將于今年向臺積電交付價值 3.8 億美元（IT之家備注：當前約 27.53 億元人民幣）的 High-NA EUV 光刻機。
她提到，ASML 首席財務官羅杰?達森（Roger Dassen）證實 ASML 的兩大客戶臺積電和英特爾公司將在今年年底前收到 High-NA EUV 光刻機。受此消息影響，ASML 開盤后上漲逾 6%。
英特爾早在 2022 年就宣布已簽署合同購買了 5 臺這種設備（TWINSCAN NXE:3600D），用于在 2025 年生產(chǎn) Intel 18A 芯片。
就目前來看，先進光刻技術是衡量芯片制造上限的關鍵因素，而這種 High-NA 光刻技術有望降低 66% 的尺寸大小。而在芯片制造領域，雖然目前的 3nm、5nm 已經(jīng)不代表實際柵極寬度，但肯定還是越小越好。
據(jù)悉，這款新型 EUV 系統(tǒng)可實現(xiàn) 0.55 數(shù)值孔徑，與此前配備 0.33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 系統(tǒng)（TWINSCAN NXE:3400B 和 NXE:3400C）相比，精度會有所提高，可以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化。
ASML 官方曾透露，這種 High-NA 機器將比現(xiàn)有機器大 30%，而之前的機器已經(jīng)大到難以想象，甚至需要三架波音 747 來裝載它們。
臺積電此前宣布，其 2nm 節(jié)點進展順利，并計劃于 2025 下半年推出 N3X、N2 制程，并將在 2026 下半年量產(chǎn) N2P 和 A16 制程。
與 3nm 制程節(jié)點不同，臺積電 2nm 制程將使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，臺積電稱相比 3nm 工藝會有 10% 到 15% 的性能提升，還可以將功耗降低 25% 到 30%。
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