IT之家 8 月 19 日消息，據韓媒 ZDNet Korea 報道，SK 海力士 EUV 材料技術人員當地時間本月 12 日出席技術會議時向媒體表示，該企業(yè)計劃于 2026 年首次導入 ASML 的 High NA EUV 光刻機。
SK 海力士的一位工程師表示該公司新近成立了一個 High NA EUV 研發(fā)團隊，正致力于將 High NA EUV 光刻技術應用到最先進 DRAM 內存的生產上。
綜合IT之家已有報道，在幾大先進邏輯制程與存儲半導體企業(yè)中，英特爾率先拿下了全球第一臺商用 High NA EUV 光刻機，其第二臺 High NA 機臺也已在運至俄勒岡州研發(fā)晶圓廠的途中。
而臺積電和三星電子兩家企業(yè)用于研發(fā)目的的首臺 High NA EUV 光刻機也分別有望于 2024 年內、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。
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