IT之家 9 月 24 日消息，美光在 2025 財(cái)年第四財(cái)季及全財(cái)年財(cái)報(bào)電話會(huì)議上確認(rèn)，該企業(yè)在 HBM4 內(nèi)存堆棧底部的基礎(chǔ)邏輯裸片（IT之家注：Base Logic Die）上采用的是內(nèi)部 CMOS 工藝，而在 HBM4E 上該芯片將轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工。

美光表示 HBM4E 內(nèi)存預(yù)計(jì)在 2027 年左右正式商業(yè)化，美光將在該世代提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)型和客戶定制型兩類(lèi)基礎(chǔ)邏輯裸片解決方案以滿足不同的需求，而定制型 HBM4E 有望帶來(lái)更高的毛利率。

而對(duì)于離現(xiàn)在更近的 HBM4，美光確認(rèn)部分客戶對(duì)這一內(nèi)存產(chǎn)品提出了高于 JEDEC 規(guī)范的每引腳 10Gbps 傳輸速率帶寬要求，美光最近向客戶出樣了 11Gbps 速率的 HBM4。

針對(duì)整體 HBM 銷(xiāo)售和供應(yīng)，美光已與幾乎所有客戶就 2026 年絕大多數(shù) HBM3E 供應(yīng)量達(dá)成價(jià)格協(xié)議，而美光的 2026 年 HBM4 供應(yīng)談判正在積極進(jìn)行，有望在未來(lái)數(shù)月達(dá)成；美光的首批 HBM4 生產(chǎn)出貨將在明年二季度實(shí)現(xiàn)。

至于非 HBM 的其它存儲(chǔ)產(chǎn)品線，美光宣布該企業(yè)在 2025 財(cái)年第四財(cái)季完成首批 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 認(rèn)證、取得首筆 1-gamma 服務(wù)器 DRAM 收入、在日本廣島生產(chǎn)基地安裝首臺(tái)用于 1-gamma DRAM 制造的 EUV 光刻機(jī)、性能級(jí)和主流級(jí) G9 NAND 固態(tài)硬盤(pán)通過(guò) OEM 客戶認(rèn)證。

展望 2026 年，美光預(yù)計(jì)行業(yè)內(nèi)將繼續(xù)出現(xiàn) DRAM 內(nèi)存供應(yīng)緊張情況，同時(shí) NAND 市場(chǎng)條件將持續(xù)加強(qiáng)。

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