IT之家 3 月 18 日消息，三星電子存儲器開發(fā)副總裁 ??? 當?shù)貢r間本月 16 日在 GTC 2026 現(xiàn)場表示，三星將在 HBM5 和 HBM5E 世代分別升級 HBM 內(nèi)存基礎（邏輯）裸片和 DRAM 裸片的工藝，而 HBM4E 的制程則將與 HBM4 相同。
IT之家整理如下：
| HBM4 | HBM4E | HBM5 | HBM5E | |
| 基礎裸片 | 4nm | 4nm | 2nm | 2nm |
| DRAM | 1c nm | 1c nm | 1c nm | 1d nm |
??? 同時提到，三星電子將 HBM4 視為其整體 HBM 內(nèi)存業(yè)務的重點，目標是占據(jù)超過一半的市場份額。三星電子還將加速 HBM 的開發(fā)，實現(xiàn)與英偉達同步的 1 年 1 迭代更新速度。
相關閱讀：
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。