IT之家2 月 3 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 的報道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。

IT之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1γ nm 工藝。目前最先進的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。

分析機構(gòu) TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點率先引入鉬（Mo，讀音 mù）和釕（Ru，讀音 liǎo）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。

鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。

而在三星這邊，其將進一步擴大 EUV 工藝的應(yīng)用。三星是三大存儲原廠中首先引入 EUV 的企業(yè)，已將其應(yīng)用至字線和位線等層中，預(yù)計在 1c nm 中 EUV 應(yīng)用將擴展至 8-9 層。對于美光，其也將在 1γ nm 節(jié)點首次導(dǎo)入 EUV 光刻。

展望未來 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F² DRAM 等路線以實現(xiàn)進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。

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