IT之家 4 月 25 日消息，韓國科技先進(jìn)研究院（KAIST）近日發(fā)表論文，成功研發(fā)新型相變存儲器（phase change memory，PCM），可以靈活切換結(jié)晶（低電阻）和非晶體（高電阻），從而結(jié)合 DRAM 和 NAND 的優(yōu)點(diǎn)。
DRAM 速度快但不穩(wěn)定，這意味著斷電時（例如關(guān)閉計算機(jī)時）存儲在其中的數(shù)據(jù)就會消失；而 NAND 閃存即使斷電也能保留數(shù)據(jù)，但速度明顯慢于 DRAM。
PCM 雖然實(shí)現(xiàn)了速度和非易失性的“魚與熊掌兼得”，但制造成本非常昂貴，而且需要大量熱量將相變材料熔化成非晶態(tài)，因此生產(chǎn)過程非常耗電。
由 Shinhyun Choi 教授帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)設(shè)計了新的方法，通過僅收縮直接參與相變過程的組件，創(chuàng)建相變納米絲（phase-changeable nano filament）。
與使用昂貴的光刻工具制造的傳統(tǒng)相變存儲器相比，這種新穎的方法將耗電量降低至 15 分之一，而且制造成本也低得多。
新型相變存儲器保留了傳統(tǒng)存儲器的許多特性，如速度快、ON / OFF 比大、變化小、多級存儲特性等。
Choi 表示，他們預(yù)計研究結(jié)果將成為未來電子工程的基礎(chǔ)，并可能應(yīng)用于高密度 3D 垂直存儲器、神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)、邊緣處理器和內(nèi)存計算系統(tǒng)。
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