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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試?三星回應稱并不屬實

2024/8/7 14:27:00 來源:IT之家 作者:遠洋 責編:遠洋

IT之家 8 月 7 日消息,今天早些時候路透社報道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試?,F(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道,三星電子回應稱該報道并不屬實。

對于這一傳聞,三星明確回應稱:“我們無法證實與客戶相關的報道,但該報道不屬實?!?/strong>

此外,三星電子的一位高管表示,目前 HBM3E 芯片的質量測試仍在進行中,與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱,三星的 8 層 HBM3E 芯片已經通過英偉達的測試,并將于第四季度開始供貨。

IT之家注意到,三星電子在 7 月 31 日公布第二季度財報的電話會議上表示,已向包括英偉達在內的主要客戶提供了其 8 層 HBM3E 產品的樣品,目前正在進行質量測試,預計第三季度開始量產供貨。

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關鍵詞:HBM3E,三星,芯片

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