IT之家 1 月 26 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 14 日宣布，其干式光刻膠技術(shù)成功通過 imec 認(rèn)證，可直接在邏輯半導(dǎo)體后道工藝（IT之家注：BEOL，互聯(lián)層制作）中實(shí)現(xiàn) 28nm 間距的直接圖案化，能滿足 2nm 及以下先進(jìn)制程的需求。

目前在先進(jìn)制程領(lǐng)域常用的光刻膠為基于化學(xué)放大原理的濕式旋涂光刻膠，而泛林的干式光刻膠則是由小于 0.5nm 的金屬有機(jī)微粒單元?dú)庀喑练e而來。

泛林宣稱其干式光刻膠具有更優(yōu)秀的光子捕獲能力，同時(shí)光刻膠層的厚度也更容易調(diào)控。在具體表現(xiàn)方面，這一新型光刻膠可克服 EUV 光刻領(lǐng)域曝光劑量和缺陷率這對(duì)主要矛盾，同時(shí)較濕化學(xué)光刻膠更為環(huán)保。

泛林干式光刻膠在后道工藝中的圖案化能力目前已在 0.33 (Low) NA EUV 光刻機(jī)上得到了驗(yàn)證，未來還可擴(kuò)展至逐步投入使用的 0.55 (High) NA EUV 光刻平臺(tái)上。

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