IT之家 3 月 11 日消息，美光（Micron）于今年 2 月向英特爾（Intel）和 AMD 等客戶交付 1γ（gamma）DDR5 樣品，成為內(nèi)存行業(yè)中首家實(shí)現(xiàn)這一突破的企業(yè)。
韓媒 chosun 昨日（3 月 10 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱美光在交付的樣品中，其中只有一層使用極紫外光刻（EUV）設(shè)備，公司計(jì)劃通過(guò)減少 EUV 的使用，來(lái)加速量產(chǎn)尖端 DRAM。
IT之家援引博文介紹，美光選擇減少對(duì) EUV 的依賴，轉(zhuǎn)而更多采用成熟的氬氟浸沒(méi)式光刻（ArFi）工藝。
根據(jù) ASML 的數(shù)據(jù)，下一代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)使用 193 納米波長(zhǎng)的氬氟激光，可實(shí)現(xiàn) 38 納米特征尺寸的打印；而 EUV 光刻使用 13.5 納米波長(zhǎng)的光，精度更高，但成本也更高。
美光表示，EUV 技術(shù)尚未完全穩(wěn)定，因此僅在必要時(shí)使用，這一策略短期內(nèi)可能提升量產(chǎn)速度，但長(zhǎng)期來(lái)看，可能影響芯片的良率和性能。
與美光不同，三星和 SK 海力士在 DRAM 技術(shù)發(fā)展中更依賴 EUV 層。三星自 2020 年起在內(nèi)存生產(chǎn)中采用 EUV，計(jì)劃在其第 6 代 10 納米 DRAM（1c）中應(yīng)用超過(guò) 5 個(gè) EUV 層。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV 設(shè)備，并計(jì)劃在下一代 1c DRAM 中采用類似策略。
盡管美光減少對(duì) EUV 的依賴可能短期內(nèi)節(jié)省成本，但長(zhǎng)期可能面臨技術(shù)瓶頸。行業(yè)人士指出，ArFi 工藝需要更多步驟，可能導(dǎo)致良率下降。隨著 EUV 層數(shù)的增加，尤其是超過(guò)三層后，技術(shù)難度將顯著加大。
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