IT之家 3 月 27 日消息，在 SEMICON China 2025 展會期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（IT之家以下簡稱“中微公司”）宣布其自主研發(fā)的 12 英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備 Primo Halona 正式發(fā)布。

中微公司介紹稱，此款 12 英寸邊緣刻蝕設(shè)備 Primo Halona 采用其特色的雙反應(yīng)臺設(shè)計(jì)，可靈活配置最多三個雙反應(yīng)臺的反應(yīng)腔，且每個反應(yīng)腔均能同時加工兩片晶圓，在保證較低生產(chǎn)成本的同時，滿足晶圓邊緣刻蝕的量產(chǎn)需求，從而實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)出密度，提升生產(chǎn)效率。

此外，設(shè)備腔體均搭載 Quadra-arm 機(jī)械臂，精準(zhǔn)靈活，腔體內(nèi)部采用抗腐蝕材料設(shè)計(jì)，可抵抗鹵素氣體腐蝕，為設(shè)備的穩(wěn)定性與耐久性提供保證。

中微公司表示，Primo Halona 配備獨(dú)特的自對準(zhǔn)安裝設(shè)計(jì)方案，不僅可提高上下極板的對中精度和平行度，還可有效減少因校準(zhǔn)安裝帶來的停機(jī)維護(hù)時間，從而幫助客戶優(yōu)化產(chǎn)能，精益生產(chǎn)。

在設(shè)備智能化方面，Primo Halona 提供可選裝的集成量測模塊，客戶通過該量測模板可實(shí)現(xiàn)本地實(shí)時膜厚量測，一鍵式實(shí)現(xiàn)晶圓傳送的補(bǔ)償校準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)更好的產(chǎn)品維護(hù)性，大大提升后期維護(hù)效率。

近日，中微公司宣布通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺刻蝕機(jī) Primo Twin-Star 又取得新的突破，反應(yīng)臺之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級）。

據(jù)介紹，這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗(yàn)證。該精度約等于硅原子直徑 2.5 埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑 100 微米的 500 萬分之一。

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