IT之家 4 月 27 日消息，SK 海力士在當?shù)貢r間 4 月 23 日舉行的臺積電 2025 年北美技術(shù)論壇上展示了多款 DRAM 內(nèi)存新品，包括先進的 HBM 內(nèi)存和標準 DIMM 模組。

其中在 HBM 部分，作為首家在 HBM 領域?qū)崿F(xiàn) 16 層鍵合的內(nèi)存企業(yè)，SK 海力士帶來了采用 Advanced MR-MUF 鍵合技術(shù)的 16Hi HBM 內(nèi)存模型。

而在具體 HBM 內(nèi)存產(chǎn)品上，SK 海力士的 HBM3E 和 HBM4 實物也現(xiàn)身論壇，其中 HBM4 內(nèi)存目前支持 16Hi 堆疊，單堆棧容量可達 48GB，I/O 速度為 8.0Gbps，整體帶寬為 2.0TB/s，邏輯裸片 (Logic Die) 部分采用臺積電先進制程。

在常規(guī) DIMM 模組部分，SK 海力士則展示了豐富的產(chǎn)品組合。對于一般 RDIMM，此次展出的型號速率都達到了 8000MT/s，包括三款：基于先進 1c nm 制程，最高 64GB 容量；采用 3DS 鍵合堆疊技術(shù)，容量可達 256GB；采用較舊制程，容量 96GB。

對于面向先進服務器的 MRDIMM，SK 海力士則端出了三款速度可達 12800MT/s 的產(chǎn)品：標準板型、基于 1c nm DRAM 的款式容量可達 64GB；同樣采用傳統(tǒng)板型但基于更舊制程的型號則可達到 96GB；采用更高板型的產(chǎn)品容量能進一步拓展到 256GB。

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