IT之家 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。

陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點的后續(xù)一代。

英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為 PowerDirect。

如果一切按計劃進行，14A 將成為行業(yè)首個采用 High-NA EUV 光刻技術的節(jié)點。臺積電的 A14 競爭對手節(jié)點預計將在 2028 年到來，但預計不會在生產中使用 High-NA 技術。

陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節(jié)點現(xiàn)在處于風險生產階段，預計今年晚些時候將開始量產。

英特爾還透露其新的 18A-P（IT之家注：18A 節(jié)點的性能版本）現(xiàn)在正在晶圓廠中運行，早期晶圓也已投產。

此外，英特爾官宣正在開發(fā)新的 18A-PT 版本，該版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進的領先節(jié)點上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D 技術是一個關鍵的發(fā)展，因為它提供了一種競爭對手臺積電已在生產中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 產品。事實上，英特爾在關鍵互連密度測量方面的實現(xiàn)與臺積電的產品相匹配。

在成熟的節(jié)點方面，英特爾晶圓廠現(xiàn)在有了首個 16nm 量產晶圓，該公司現(xiàn)在也在與聯(lián)電合作開發(fā) 12nm 節(jié)點。

根據(jù)英特爾的官方路線圖，18A-P 將在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年。此外，14A 將在 2027 年到來，還會有 14A-E 工藝。

針對先進封裝需求，英特爾代工提供系統(tǒng)級集成服務，使用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程節(jié)點，通過 Foveros Direct（3D 堆疊）和 EMIB（2.5D 橋接）技術實現(xiàn)連接。

英特爾還將向客戶提供新的先進封裝技術，包括面向未來高帶寬內存需求的 EMIB-T；在 Foveros 3D 先進封裝技術方面，F(xiàn)overos-R 和 Foveros-B 也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。

制造方面，英特爾亞利桑那州的 Fab 52 晶圓廠成功“全流程運行”，標志著通過該設施加工了第一塊晶圓。英特爾 18A 的大規(guī)模生產將在俄勒岡州的英特爾工廠開始，而亞利桑那州的制造將在今年晚些時候擴大。

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