IT之家 7 月 16 日消息，韓國半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)韓美半導(dǎo)體 _{(HANMI Semiconductor)} 董事長郭東信當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，在 HBM 4/5 世代就為 HBM 內(nèi)存導(dǎo)入混合鍵合工藝猶如????（牛刀割雞），并無必要。

韓美半導(dǎo)體是全球第一大 HBM 內(nèi)存 TC_{（熱壓縮）}鍵合機(jī)臺供應(yīng)商。根據(jù)郭東信的說法，最近兩年由該企業(yè)設(shè)備實施鍵合步驟的 HBM 堆棧占到英偉達(dá) HBM3E 內(nèi)存整體供應(yīng)量的九成。

郭東信表示，一臺混合鍵合設(shè)備的價格就要超過 100 億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 5190 萬元人民幣），是傳統(tǒng) TC 鍵合機(jī)的兩倍以上；此外 JEDEC 制定的 HBM4 規(guī)范將堆棧高度要求放寬到了 775μm，沒有必要通過無凸塊的混合鍵合進(jìn)一步降低 DRAM Die 間距，TC 鍵合機(jī)足以滿足 HBM4 乃至 HBM5 的工藝需求。

韓美半導(dǎo)體計劃今年推出無助焊劑 (Fluxless) 類型的 HBM 鍵合設(shè)備，瞄準(zhǔn) HBM6 內(nèi)存需求的混合鍵合機(jī)則目標(biāo)在 2027 年推出。

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