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加速先進(jìn)制程赴美:消息稱臺積電美國 Fab 21 P2 晶圓廠部分轉(zhuǎn)為 2nm 產(chǎn)線

2025/8/20 16:28:50 來源:IT之家 作者:溯波(實習(xí)) 責(zé)編:溯波

IT之家 8 月 20 日消息,臺媒《MoneyDJ 理財網(wǎng)》今日援引供應(yīng)鏈消息表示,臺積電全資子公司 TSMC Arizona 運營的美國亞利桑那州菲尼克斯(鳳凰城)Fab 21 超大晶圓廠集群的第二階段 P2(IT之家注:即其它表述中的 Fab 2)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)將由純 3nm 轉(zhuǎn)向 3nm + 2nm 混合。

據(jù)悉 TSMC Arizona Fab 21 P2 目前正進(jìn)行內(nèi)部無塵室和機電整合工程,2026 年 10 月啟動設(shè)備裝機。該階段晶圓廠劃分為 A / B 兩個區(qū)域,其中 A 區(qū)繼續(xù)部署 3nm FinFET 制造能力;B 區(qū)則提前導(dǎo)入 2nm GAA 工藝,無需等待后續(xù) P3 晶圓廠建成。

臺媒認(rèn)為,Fab 21 P2 有望在 2027 年第二季度建成 mini-line 試點生產(chǎn)線,同年第四季度量產(chǎn),進(jìn)度早于此前預(yù)期的 2028 年。

擁有 5/4nm FinFET 制造能力的 TSMC Arizona Fab 21 P1 已實現(xiàn)量產(chǎn),并在今年二季度為臺積電貢獻(xiàn)了稅后凈利潤。

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