IT之家 11 月 10 日消息，據(jù)韓國“電子新聞”今日報道，高帶寬內(nèi)存（HBM）的發(fā)展，正在推動存儲大廠 SK 海力士攻克新的性能瓶頸 —— 研發(fā)高帶寬存儲（HBS）。這項新技術(shù)有望讓未來的智能手機和平板電腦具備更強大的 AI 算力。

SK 海力士計劃采用一種名為垂直導(dǎo)線扇出（VFO）的封裝工藝，將最多 16 層 DRAM 與 NAND 芯片垂直堆疊，從而顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。

IT之家從報道中獲悉，VFO 封裝是 HBS 能否成功的關(guān)鍵。SK 海力士早在 2023 年就首次展示這項技術(shù)，之后隨著生成式 AI 普及，HBS 正逐漸進入智能手機和平板電腦。

直線連接堆疊的 DRAM 和 NAND 芯片，VFO 取代了傳統(tǒng)的彎曲導(dǎo)線連接方式，既縮短了布線距離，又減少信號損耗與延遲，并能支持更多 I/O 通道，使整體數(shù)據(jù)處理性能大幅提升。

未來 HBS 將與手機芯片組一起封裝，再安裝到設(shè)備主板上。外界普遍認(rèn)為，驍龍 8 至尊版 Gen 6 Pro 具備同時兼容 LPDDR6 與 UFS 5.0 的能力，因此被視為 HBS 的潛在首發(fā)平臺。

與 HBM 相比，HBS 無需采用硅通孔（TSV）工藝，意味著芯片制造不必穿孔，成本更低、良率更高。對于希望在設(shè)備中采用這種新型存儲方案的廠商而言，這無疑是一大利好。

據(jù)悉，蘋果正計劃在未來的設(shè)備中使用 HBM 和 TSV，讓 iPhone 能夠在本地運行更復(fù)雜的 AI 模型，因此蘋果開始研究 HBS 也在情理之中。

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