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兆易創(chuàng)新:明年實現(xiàn)自研 LPDDR4X 內(nèi)存量產(chǎn)并著手規(guī)劃小容量 LPDDR5X 研發(fā)

2025/11/24 17:03:06 來源:IT之家 作者:溯波(實習(xí)) 責編:溯波

IT之家 11 月 24 日消息,國內(nèi) Fabless 半導(dǎo)體企業(yè)兆易創(chuàng)新在今日的 2025 年第三季度業(yè)績說明會上表示,企業(yè)明年將實現(xiàn)自研 LPDDR4X 系列產(chǎn)品的量產(chǎn),并著手規(guī)劃 LPDDR5 小容量產(chǎn)品的研發(fā),同時兆易創(chuàng)新存儲業(yè)務(wù)目前并無 DDR5 產(chǎn)品的相關(guān)規(guī)劃。

圖源:Pixabay

對于利基型 DRAM 內(nèi)存市場,兆易創(chuàng)新初步預(yù)計漲價趨勢在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延續(xù),并在 2026Q2~Q4 維持相對較高的價格水平;而 NOR Flash 閃存短期來看處于供需相對偏緊的狀態(tài),產(chǎn)品價格維持溫和上漲;此外由于部分海外大廠經(jīng)營重心轉(zhuǎn)移導(dǎo)致的供給短缺,兆易創(chuàng)新的 2D SLC NAND 閃存目前也開始漲價。

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