IT之家 12 月 2 日消息，韓媒 DealSite 昨日報道稱，三星電子考慮將支撐其 HBM3E 內存供應的 1a nm DRAM 產(chǎn)能削減 30~40%，通過制程轉換提升適用于通用內存產(chǎn)品的 1b nm 產(chǎn)能，以實現(xiàn)利潤的最大化。

IT之家注意到，三星電子的 HBM3 和 HBM3E 內存均基于 1a nm DRAM，而 HBM4 則基于 1c nm，1b nm 工藝產(chǎn)能完全由通用內存占據(jù)。

由于 AI 需求、HBM 擠占產(chǎn)能、短期內擴產(chǎn)幅度有限等原因，DDR5、LPDDR5x、GDDR7 等通用內存產(chǎn)品近來價格經(jīng)歷了一波快速漲勢，對于三星電子而言其 1b nm 產(chǎn)能的盈利能力反而超過了傳統(tǒng)看法中受益于 HBM 高價格的 1a nm。

盡管三星電子最終還是成為了英偉達的 HBM3E 供應商，但其供貨規(guī)模相對受限，此外三星電子在 HBM3E 上的平均售價本身就相較 SK 海力士低出三成，而 2026 年起 HBM3E 還將降價 30%。

消息人士指出，三星電子如果將 1a nm 的 30~40% 產(chǎn)能和 1z nm 等更為成熟工藝的產(chǎn)能切換為 1b nm，則 1b nm 的投片量有望額外擴充每月 8 萬片晶圓。

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