IT之家 12 月 3 日消息，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 此前在消費(fèi)級(jí)上的應(yīng)用主要局限在適配器和白金及以上效率的高端電源方面。而長(zhǎng)城最近打破了這一傳統(tǒng)，在中高端 80 PLUS 金牌認(rèn)證新品 SPARK S8 中搭載了氮化鎵晶體管器件。

長(zhǎng)城獵金部落 SPARK S8 電源額定功率為 850W，采用標(biāo)準(zhǔn) ATX 外形規(guī)格設(shè)計(jì)，擁有全模組式線(xiàn)材。其符合英特爾 ATX 3.1 規(guī)范，提供原生 12V-2×6 供電，115V 下半載轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 91.24%。

SPARK S8 內(nèi)部采用單路 +12V 的拓?fù)?，搭載一顆支持智慧啟停、開(kāi)機(jī)自檢、延時(shí)停轉(zhuǎn)功能的 120mm 溫控風(fēng)扇，支持 5000m 海拔，具備 OVP、OCP、OPP、OTP、SCP 五項(xiàng)安全機(jī)制，享受首年換新 + 后九年保修的合計(jì) 10 年質(zhì)保。

長(zhǎng)城獵金部落 SPARK S8 電源的當(dāng)前售價(jià)為 579 元。

京東長(zhǎng)城 SPARK S8 電源 579 元直達(dá)鏈接

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