IT之家 12 月 3 日消息，根據(jù)臺灣地區(qū)環(huán)境部門官網(wǎng)公示，臺積電計劃于臺南科學(xué)工業(yè)園區(qū)特定區(qū)（南科特定區(qū)）的開發(fā)區(qū)塊 A 土地內(nèi)興建半導(dǎo)體廠房及相關(guān)設(shè)施，計劃基地面積約 14.6 公頃。

臺積電表示，此舉旨在滿足市場對高性能新品及先進(jìn)計算技術(shù)的需求，厚植先進(jìn)制程技術(shù)及強化競爭優(yōu)勢，持續(xù)發(fā)展先進(jìn)制程并充分發(fā)揮產(chǎn)能群聚效益。

此前就有消息指出，臺積電擬將在中國臺灣地區(qū)的 2nm 工藝先進(jìn)制程晶圓廠在此前規(guī)劃的新竹 2 座、高雄 5 座基礎(chǔ)上再擴(kuò)充 3 座，選址有望落在南科特定區(qū)。而根據(jù)臺媒《自由時報》的分析，此次申請的用地大致能滿足一座 2nm 晶圓廠的需求。

相關(guān)閱讀：

• 《（更新）消息稱臺積電擬在中國臺灣地區(qū)加建 3 座 2nm 工藝先進(jìn)制程晶圓廠》

廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。