IT之家 2 月 2 日消息，二維半導體是延續(xù)集成電路摩爾定律、實現先進制程的關鍵材料，也是我國開辟新賽道的重要機遇。南京大學-蘇州實驗室王欣然、李濤濤團隊與東南大學王金蘭團隊合作，開發(fā)了全新的氧輔助金屬有機化學氣相沉積（oxy-MOCVD）技術，解決了二維半導體量產化制備的動力學瓶頸。
據介紹，相關成果以“氧輔助金屬有機化學氣相沉積加速二硫化鉬動力學生長”（Kinetic acceleration of MoS2 growth by oxy-metal-organic chemical vapor deposition）為題于 2026 年 1 月 30 日發(fā)表在《科學》。這是該團隊繼 2025 年 10 月在 Science 發(fā)表成果后取得的又一重大突破，標志著二維半導體產業(yè)化技術邁入全新階段。
IT之家查詢獲悉，二維半導體的產業(yè)化制備長期以來面臨兩大挑戰(zhàn)。一是需要大尺寸、低對稱性的襯底作為外延模板，保證薄膜的定向生長；二是二維材料的原子級厚度使其對生長動力學極其敏感。
針對這些難題，團隊在制備二維半導體的過程中引入氧氣，創(chuàng)新設計材料生長的預反應腔結構，在高溫下使氧氣與前驅體充分預反應，這降低了反應過程的能量障礙，使前驅物反應速率提升約 1000 倍以上。
另外，該成果與團隊 2025 年發(fā)表的“點石成晶”技術共同構建了“襯底工程 + 動力學調控”完整技術路線，為二維半導體量產化提供核心支撐，將加速其在埃米級集成電路等領域的應用進程，為我國在下一代半導體技術競爭中構筑核心優(yōu)勢。
論文第一作者為蘇州實驗室博士后劉蕾、王玉樹、董瑞康與南京大學集成電路學院博士后范東旭。研究得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、基礎學科和交叉學科突破計劃、國家資助博士后研究人員計劃和中國博士后科學基金、江蘇省基礎研究計劃、江蘇省卓越博士后計劃、姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領軍人才等項目的資助，以及未來智能芯片交叉研究中心（雅辰基金）、新基石科學基金會所設立的科學探索獎、小米基金的支持。
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https://www.science.org/doi/10.1126/science.aec7259
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