IT之家 2 月 9 日消息，市場(chǎng)研究公司 Counterpoint Research 在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 2 日的《2 月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》中指出，在 2026Q1 尚未結(jié)束的情況下，存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)格目前已相較 2025Q4 上漲多達(dá) 90%，一般 DRAM、HBM、NAND 的價(jià)格均創(chuàng)下歷史新高，存儲(chǔ)半導(dǎo)體迎來前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。

本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器 DRAM 價(jià)格大幅攀升，64GB RDIMM 的價(jià)格已從 450 美元升至 900 美元，且有望在 2026Q2 漲至 1000 美元上方。此外，2025Q4 表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)的 NAND 閃存在第一季度也同步上漲 80~90%。疊加部分 HBM3e 產(chǎn)品價(jià)格走高，市場(chǎng)正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢(shì)。

智能手機(jī)廠商正在削減設(shè)備 DRAM 容量，或采用性價(jià)比更高的 QLC 方案替代 TLC。與此同時(shí)，目前供應(yīng)緊張的 LPDDR4 訂單明顯下滑，而支持最新 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)的全新入門級(jí)芯片陸續(xù)推出，帶動(dòng) LPDDR5 訂單持續(xù)增長(zhǎng)。

為應(yīng)對(duì)這一市場(chǎng)變化，OEM 正減少單款設(shè)備的內(nèi)存配置，或優(yōu)先推出搭載 LPDDR5（IT之家注：這一品類受影響相對(duì)較?。┑母叨水a(chǎn)品線。

Counterpoint 高級(jí)分析師 Jeongku Choi 表示：

對(duì)設(shè)備廠商而言，這是雙重打擊 —— 零部件成本上漲疊加消費(fèi)者購買力減弱，隨著本季度推進(jìn)，需求很可能放緩。這就要求 OEM 改變采購模式，或聚焦高端機(jī)型，通過為消費(fèi)者提供更多價(jià)值來支撐更高的產(chǎn)品定價(jià)。

存儲(chǔ)器行業(yè)盈利水平預(yù)計(jì)將達(dá)到前所未有的高度。2025 年第四季度，DRAM 營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已達(dá)到 60% 區(qū)間，這是通用 DRAM 利潤(rùn)率首次超過 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利潤(rùn)率將首次突破歷史峰值。盡管如此，這一水平要么成為新的常態(tài)，要么形成極高的基準(zhǔn) —— 當(dāng)前看似穩(wěn)固，但一旦進(jìn)入下一輪下行周期（若發(fā)生），市場(chǎng)表現(xiàn)可能會(huì)更加慘淡。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。