IT之家 2 月 24 日消息，韓媒 Sedaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 22 日報(bào)道稱，三星電子位于平澤園區(qū) P2、P3 晶圓廠的晶圓代工生產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率已從去年的不及 50% 回升至當(dāng)下的 80% 左右，出現(xiàn)明顯改觀。

IT之家了解到，這些生產(chǎn)線制造 4nm、5nm、7nm 等“非尖端先進(jìn)制程”工藝的半導(dǎo)體，隨著三星電子存儲器業(yè)務(wù)啟動(dòng) HBM 量產(chǎn)帶來大規(guī)模 Base Die 訂單和外部需求的增加，原本缺乏需求的產(chǎn)線開始高強(qiáng)度運(yùn)作。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，在 2nm 逐步投產(chǎn)、特斯拉與蘋果訂單放量等的推動(dòng)下，三星半導(dǎo)體的非存儲器業(yè)務(wù)有望迎來重大拐點(diǎn)，最早 2026Q4 即可擺脫連續(xù)虧損的長期頹勢。

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