IT之家 4 月 25 日消息，韓媒 The Elec 昨日（4 月 24 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱三星已成功生產(chǎn)出采用 4F Square 單元結(jié)構(gòu)與 VCT 技術(shù)的 10a DRAM 晶圓，并在測試中確認(rèn)了功能性芯片，計(jì)劃于 2028 年量產(chǎn)。

這一突破標(biāo)志著業(yè)界首次在 DRAM 生產(chǎn)中引入 4F Square 單元結(jié)構(gòu)與垂直通道晶體管（VCT）工藝。

IT之家注：4F Square 是一種先進(jìn)的 DRAM 單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其中“F”代表光刻工藝的最小特征尺寸。該結(jié)構(gòu)將每個存儲單元置于 2F×2F 的面積內(nèi)，相比傳統(tǒng)的 6F Square 設(shè)計(jì)，能在相同的芯片面積內(nèi)容納更多單元，從而顯著提升存儲密度，是實(shí)現(xiàn) DRAM 高密度微縮的關(guān)鍵技術(shù)路徑。

而 VCT 全稱為 Vertical Channel Transistor，直譯為垂直通道晶體管，是一種創(chuàng)新的晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過將晶體管的通道方向由水平改為垂直，讓電荷存儲電容可以直接堆疊在晶體管上方。這種立體結(jié)構(gòu)有效縮短了單元間距，打破了傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)的微縮瓶頸，是實(shí)現(xiàn) 4F Square 高密度單元的基礎(chǔ)。

10a 工藝被視為 DRAM 進(jìn)入 10nm 以下節(jié)點(diǎn)的首代技術(shù)，其實(shí)際電路線寬約為 9.5 至 9.7nm。相比當(dāng)前主流的 6F Square 設(shè)計(jì)，4F Square 結(jié)構(gòu)將每個單元置于 2F×2F 的面積內(nèi)，能在相同芯片面積下將單元密度提升約 30% 至 50%。

新技術(shù)面臨的主要挑戰(zhàn)是材料變革。通道材料為降低漏電流并提升數(shù)據(jù)保持能力，已從硅轉(zhuǎn)變?yōu)殂熸変\氧化物（IGZO）。此外，三星原計(jì)劃用鉬（Mo）替代氮化鈦（TiN）作為字線材料（指用于制作存儲器中字線的導(dǎo)電材料），但因鉬具有腐蝕性且固態(tài)處理困難，需對氣體輸送系統(tǒng)進(jìn)行改造，目前該材料仍在評估中。

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