IT之家 6 月 3 日消息，KIOXIA（鎧俠）當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行了 2026 年投資者日活動(dòng)。該企業(yè)宣布將在今年夏天出樣 BiCS10 1Tb TLC NAND，這一閃存將用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中。
BiCS10 采用 332 層設(shè)計(jì)，堆疊層數(shù)低于部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。鎧俠在解釋產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)表示，當(dāng)前已無(wú)法僅通過提升堆疊改善 3D NAND 的成本結(jié)構(gòu)，更高堆疊意味著工藝復(fù)雜性和制造成本的上升，此外高堆疊還不利于能效和可靠性表現(xiàn)。
鎧俠表示，332L BiCS10 與其推測(cè)的 400L 產(chǎn)品相比實(shí)現(xiàn)了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性優(yōu)勢(shì)。
在企業(yè)層面，鎧俠預(yù)測(cè) NAND 市場(chǎng)的整體出貨容量在 2026~2028 年實(shí)現(xiàn) 22% 的 CAGR，其中數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá)到 46%，而 AI 推理這一細(xì)分領(lǐng)域的增速將達(dá)到 86%；另一方面，PC、智能手機(jī)領(lǐng)域的需求則將持平或小幅下降。
此外，鎧俠認(rèn)為當(dāng)前已是 NAND 市場(chǎng)供需失衡最為嚴(yán)重的時(shí)刻，未來將逐步改進(jìn)，但到 2027 年底前供小于求的基本面不會(huì)改變。
在此背景下，鎧俠正專注于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)業(yè)務(wù)，目標(biāo)將該細(xì)分領(lǐng)域?qū)φw營(yíng)收的貢獻(xiàn)比例提升到 60% 以上，通過高附加值產(chǎn)品推動(dòng)盈利能力的提升；而 PC、智能手機(jī)端收入規(guī)模則將保持穩(wěn)定。
鎧俠 2026~2028 財(cái)年的平均資本支出與研發(fā)支出都將較 2025 財(cái)年水平增長(zhǎng) 60% 以上。該企業(yè)將快速推進(jìn)制程升級(jí)，目標(biāo)實(shí)現(xiàn)每年約 10% 的前端單位容量成本降低。
IT之家了解到，鎧俠表示已就北上市生產(chǎn)基地的進(jìn)一步擴(kuò)建進(jìn)行評(píng)估，目標(biāo)在 2029 財(cái)年后投產(chǎn)。
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