IT之家 6 月 5 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 于 5 日（今天）下午援引知情人士消息稱，SK 海力士已向主要供應商說明最新的擴產(chǎn)計劃，目標是在 2030 至 2031 年把 DRAM 晶圓投片產(chǎn)能提高到接近目前兩倍。

這項擴產(chǎn)路線圖在 2026 臺北國際電腦展之前就已制定完成。展會期間，英偉達 CEO 黃仁勛曾在一片 SK 海力士 DRAM 晶圓上寫下“請多生產(chǎn)”，也從側(cè)面凸顯 AI 存儲產(chǎn)品需求正在快速升溫。

多名行業(yè)人士透露，過去兩個月，SK 海力士采購團隊以及負責龍仁半導體集群的人員，已陸續(xù)向主要供應商說明到 2030 年擴大晶圓投片產(chǎn)能的計劃。

按照計劃，SK 海力士希望到 2030 年把 DRAM 晶圓月投片產(chǎn)能從目前約 55 萬片提高到約 100 萬片。現(xiàn)有產(chǎn)能中包括無錫工廠約 20 萬片月產(chǎn)量，新增產(chǎn)能預計主要來自龍仁半導體集群。

SK 海力士計劃把龍仁第一座晶圓廠劃分為六個潔凈室，并從 2027 年 2 月起向第一個潔凈室搬入設備。第一階段設備安裝完成后，龍仁工廠將新增 6 萬片月產(chǎn)能；此后，SK 海力士計劃每隔六個月啟用一個新增潔凈室，每次再增加 6 萬片月產(chǎn)能。若按現(xiàn)有時間表推進，僅龍仁第一座晶圓廠到 2030 年上半年就可新增 36 萬片 DRAM 月產(chǎn)能。

清州 M15X 晶圓廠也在擴建。M15X 計劃今年下半年投產(chǎn)，初期月產(chǎn)能為 4 萬片晶圓，明年預計提升至約 8 萬片。若龍仁新增 36 萬片產(chǎn)能也按期釋放，SK 海力士 DRAM 晶圓月投片總產(chǎn)能到 2030 至 2031 年有望達到約 100 萬片。

NAND 閃存方面，SK 海力士被認為主要聚焦技術升級，包括提高堆疊層數(shù)。一名半導體設備行業(yè)人士表示：“可以理解為，SK 海力士是在要求供應商為快速、大規(guī)模擴產(chǎn)做好準備?！?/p>

據(jù)IT之家了解，這項計劃也與 SK 集團董事長崔泰源最近的表態(tài)相呼應：全速在五年內(nèi)將整體晶圓產(chǎn)能提高一倍。

不過，供應商仍在謹慎觀望這份激進路線圖能否如期落地。2022 年，SK 海力士曾向供應商提供下一年度資本開支指引，但同年秋季又大幅削減設備訂單。部分供應商已經(jīng)依據(jù)指引采購零部件，后來承受了明顯現(xiàn)金流壓力。業(yè)內(nèi)人士也指出，如果任何一類設備交付延遲，每六個月填滿一個潔凈室的節(jié)奏都可能被打亂。

一名供應商人士表示：“短期來看，投資增加已經(jīng)很明確，對設備和材料供應商是重大利好。但整份路線圖最終能否完成，還是要看市場需求能不能支撐?！?/p>

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