IT之家 6 月 14 日消息，據(jù)科技媒體 Wccftech 今天報道，韓國政府已啟動“超級創(chuàng)新經(jīng)濟項目”，計劃投資 5000 億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 22.3 億元人民幣）攻關(guān)下一代功率半導體（Power Semiconductors）。

據(jù)報道，功率半導體在 AI 數(shù)據(jù)中心中舉足輕重，它能夠提供穩(wěn)定的供電網(wǎng)絡、提高能源利用效率、降低電力損耗，支撐高密度 AI 設備穩(wěn)定運行。

同時，功率半導體的應用范圍遠遠不止 AI 數(shù)據(jù)中心，也可應用在能源系統(tǒng)、電動汽車、工業(yè)機器人和航空航天等領(lǐng)域。當前最受關(guān)注的先進功率半導體材料包括 SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵），這兩種材料相比傳統(tǒng)硅基半導體，具備耐高溫能力更高、能耗更低、轉(zhuǎn)換效率更高等優(yōu)點。

據(jù)悉，韓國政府已要求所有使用功率半導體的企業(yè)都參加此項研發(fā)計劃，希望借此構(gòu)建完整生態(tài)體系。如果計劃成功，韓國的功率半導體產(chǎn)業(yè)有望發(fā)展壯大。

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