IT之家 6 月 26 日消息，韓媒《每日經(jīng)濟》當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，SK 海力士有望重新啟動韓國本土 NAND 閃存晶圓廠的建設(shè)，具體選址則落在已有布局的清州域內(nèi)。

SK 海力士自 2018 年清州 M15 晶圓廠竣工后便未在韓國建造 NAND 晶圓廠，接手英特爾 NAND 業(yè)務(wù)后在中國大連動工的第二晶圓廠近來也沒有多少消息。這意味著該企業(yè)最近 7 年的 NAND 新產(chǎn)能主要來自工藝升級和既有潔凈室空間的更高效利用。

傳統(tǒng)上來看，NAND 閃存的盈利能力相對 DRAM 內(nèi)存較差。而在這波 AI 浪潮的前期，NAND 新增需求也不如 DRAM 明了。這是三大原廠擴產(chǎn) NAND 動力相對有限的背景原因。

但隨著人工智能的進一步發(fā)展，計算負載從訓(xùn)練向推理轉(zhuǎn)型，為高性能、大容量 SSD 帶來了龐大的需求，NAND 業(yè)務(wù)正愈發(fā)受到原廠的重視。

報道還指出，三星電子預(yù)計也會在平澤集群 P5 晶圓廠的新增階段中部署 NAND 產(chǎn)線。

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