IT之家 6 月 30 日消息，SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）美國當?shù)貢r間昨日根據(jù)其最新報告預(yù)測，全球 300mm 存儲器晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計將在 2026 年首次突破 500 億美元關(guān)口，達到 520 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 3538.3 億元人民幣），同比增長 29%。

從領(lǐng)域細分來看，DRAM 設(shè)備支出將以 370 億美元占據(jù)整體的 71%，同比增幅 29%；NAND 設(shè)備支出則將幾乎同步地同比提升 28%，來到 140 億美元。

展望未來，全球 300mm 存儲器晶圓廠設(shè)備投資在 2027 年預(yù)計還將增長 11%，來到 570 億美元；2024~2029 年這六年間的整體 CAGR 則來到 +19%，顯示產(chǎn)能建設(shè)將長期保持火熱。

與此同時，300mm 存儲半導(dǎo)體晶圓月產(chǎn)能將在今明兩年分別達到 410 萬片和 420 萬片。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：

對 HBM 及其他先進存儲技術(shù)的強勁需求，正在重塑整個半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的投資重點。隨著 AO 基礎(chǔ)設(shè)施的擴展，存儲器制造商正在加速在產(chǎn)能和技術(shù)轉(zhuǎn)型方面的投資，以支持下一波數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。

不過該機構(gòu)也提到，由于先進存儲器的技術(shù)遷移和工藝復(fù)雜度，存儲半導(dǎo)體有效產(chǎn)能的增長仍保持溫和態(tài)勢。

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