IT之家 7 月 15 日消息，以色列晶圓代工企業(yè) Tower Semiconductor（高塔半導(dǎo)體）當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布，計劃在日本進行總價值約 6000 億日元的產(chǎn)能建設(shè)投資（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 250.84 億元人民幣）。

這筆投資瞄準(zhǔn)硅光子、硅鍺、大規(guī)模先進光學(xué)封裝等光通信領(lǐng)域的商機。日本政府將根據(jù)《經(jīng)濟安全保障推進法》提供至多約 1600 億日元的補助（現(xiàn)匯率約合 66.89 億元人民幣）。

Tower 計劃在其位于富山縣魚津市的既有晶圓廠 Fab 7 旁再建設(shè)一座 12 英寸生產(chǎn)設(shè)施，使其硅光子學(xué)和硅鍺產(chǎn)能提升數(shù)倍，以滿足客戶對新興人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用日益增長的需求并推動下一代光連接技術(shù)的發(fā)展。

同時，Tower 將把其位于新潟縣妙高市的原 Fab 6 工廠改造為 12 英寸硅光子產(chǎn)能及先進封裝基地，此舉將大幅提升 12 英寸硅光子產(chǎn)能預(yù)計 2027Q4 全面投產(chǎn)。

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