IT之家 2 月 21 日消息，半導體設(shè)備巨頭泛林集團 Lam Research 美國加州當?shù)貢r間 19 日宣布正式推出全球首型鉬（Mo）原子層沉積（IT之家注：即 ALD）設(shè)備 ALTUS Halo，該設(shè)備已在邏輯半導體和 3D NAND 領(lǐng)域得到早期采用。

在最近 20 多年的芯片上金屬布線元器件互聯(lián)等半導體工藝中，鎢（W）一直憑借其出色的溝槽填充能力起到相當重要的作用。

但是隨著半導體制程的發(fā)展，鎢電阻較高的劣勢逐步顯現(xiàn)，此時在溝槽填充和電阻兩方面表現(xiàn)均優(yōu)秀的鉬正成為布線工藝的新寵。而 ALTUS Halo 就是一臺向半導體注入鉬的設(shè)備。

泛林集團高級副總裁兼全球產(chǎn)品集團總經(jīng)理 Sesha Varadarajan 表示：

基于泛林深厚的金屬化專業(yè)知識，ALTUS Halo 是 20 多年來原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破：

它將泛林的四站模塊架構(gòu)和 ALD 技術(shù)的新進展結(jié)合在一起，為大批量生產(chǎn)提供了工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興的、未來的芯片變化（包括千層 3D NAND、4F² DRAM、先進 GAA 邏輯電路）的關(guān)鍵要求。

美光負責 NAND 開發(fā)的公司副總裁 Mark Kiehlbauch 則表示：

鉬金屬化的集成使美光能夠在最新一代 NAND 產(chǎn)品中率先推出業(yè)界領(lǐng)先的 I/O 帶寬和存儲容量。泛林的 ALTUS Halo 設(shè)備使美光將鉬投入量產(chǎn)成為可能。

除 ALTUS Halo 外，泛林還同期推出了一款等離子體蝕刻設(shè)備 Akara，其采用固態(tài)等離子體源，生成的等離子體響應速度提升了 100 倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，以形成復雜的 3D 結(jié)構(gòu)。

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