IT之家 2 月 24 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會(huì)議現(xiàn)場的采訪，三星電子在本次會(huì)議上公布了其 HBM 內(nèi)存路線圖，分享了預(yù)設(shè)的性能參數(shù)目標(biāo)：

在三星眼中，HBM4E 相較 HBM4 的兩大變化是引入 32Gb DRAM 裸片和將每引腳速率提升至 10Gbps：前者可在 16Hi 堆疊時(shí)將單堆棧容量擴(kuò)展至 64GB，而后者意味著 HBM4E 的整體帶寬將達(dá) HBM4 的 1.25 倍。

下游應(yīng)用方面，HBM4E 內(nèi)存有望被英偉達(dá) 2027 年推出的 Rubin Ultra AI GPU 采用。Rubin Ultra 支持 12 個(gè) HBM4 (E) 堆棧，這意味著單加速器內(nèi)存容量有望達(dá)到驚人的 768GB。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。