IT之家 6 月 13 日消息，KAIST 韓國科學(xué)技術(shù)院下屬 Teralab 的學(xué)者 Kim Joungho 被部分業(yè)內(nèi)人士稱為“HBM 之父”，他在本月 11 日的講座中介紹了從 HBM4 直到 HBM8 的長期路線圖。

這位教授認(rèn)為，HBM 內(nèi)存的 I/O 數(shù)目將在 HBM5、HBM7、HBM8 三次倍增，堆疊層數(shù)、單層容量、引腳速率也將步步提高，鍵合技術(shù)將從現(xiàn)有的微凸塊向無凸塊銅對(duì)銅直接鍵合（混合鍵合）過渡。而在這一代際演進(jìn)中，HBM 堆棧的發(fā)熱同樣會(huì)逐步增長，帶來更高的散熱需求。

Kim Joungho 還分享了他認(rèn)為的未來幾代 HBM 內(nèi)存技術(shù)重點(diǎn)：

HBM4

傳統(tǒng)的 HBM 堆棧僅包含定制 DRAM 芯片，而在 HBM 系統(tǒng)中 HBM Base Die 有望集成 LPDDR 控制器，為 HBM 存儲(chǔ)系統(tǒng)添加一個(gè)新的層次，有效利用傳統(tǒng)模式下閑置的容量和帶寬資源。

HBM5

來到 HBM5，此時(shí)的存儲(chǔ)堆棧有望包含 NMC 近內(nèi)存計(jì)算區(qū)塊，這意味著能減小 HBM 同 AI xPU 間的傳輸帶寬，提升計(jì)算操作的本地化程度，改進(jìn)系統(tǒng)性能與能效。

HBM6

目前的 HBM 都是 1 個(gè) Base Die 對(duì)應(yīng) 1 個(gè) DRAM 堆棧的單塔結(jié)構(gòu)，而到 HBM6 有望以單一大型 Base Die 配套 2 個(gè) DRAM 堆棧，形成雙塔的物理造型；同時(shí) NMC 單元也會(huì)來到堆棧的下方。

另一方面，現(xiàn)有的 xPU-HBM 2.5D 封裝采用的是硅中介層 / 硅橋連接，而這限制了超大型芯片復(fù)合體的擴(kuò)展能力，以玻璃基板構(gòu)造硅-玻璃復(fù)合中介層可實(shí)現(xiàn)多個(gè) GPU 模塊的一體化。

HBM7

對(duì)于 HBM7 而言，兩大重點(diǎn)則是由 HBM 和 HBF 等構(gòu)成的多級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)，以及通過在 DRAM 堆棧中嵌入多功能橋片改善信號(hào)和添加額外功能。

此外，HBM7 也將引入嵌入式冷卻系統(tǒng)以解決高性能帶來的發(fā)熱問題。

HBM8

在 Kim Joungho 的最遙遠(yuǎn)展望 HBM8 上，他認(rèn)為此時(shí)芯片復(fù)合體將不僅利用整個(gè)封裝的一面去容納 HBM 內(nèi)存，背面也將用于存儲(chǔ)擴(kuò)展，同時(shí)散熱也會(huì)緊密集成。

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