IT之家 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規(guī)模集成電路技術(shù)與電路研討會(huì)（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)。
該節(jié)點(diǎn)將取代現(xiàn)有 Intel 3 節(jié)點(diǎn)，優(yōu)化頻率與電壓調(diào)節(jié)能力，后續(xù)將應(yīng)用于消費(fèi)級處理器“Panther Lake”以及服務(wù)器處理器 Clearwater Forest（純 E 核 Xeon）等產(chǎn)品。
據(jù)英特爾工程師介紹，采用 RibbonFET（全環(huán)繞柵極 GAA）與 PowerVia（背側(cè)供電）技術(shù)的 Intel 18A 制程相較 Intel 3 實(shí)現(xiàn)了 30% 以上密度提升與“全節(jié)點(diǎn)性能進(jìn)步”，同時(shí)提供高性能（HP）、高密度（HD）庫，兼具完整設(shè)計(jì)能力與易用性。
得益于 RibbonFET 技術(shù)，Intel 18A 相較于使用 FinFET 的 Intel 3 實(shí)現(xiàn)大幅跨越。RibbonFET 主要優(yōu)勢在于：
優(yōu)化柵極靜電特性，單位面積有效寬度更大、寄生電容更低，設(shè)計(jì)靈活性進(jìn)一步提升；
為 180H / 160H 庫引入多種 Ribbon 寬度，通過 DTCO（設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化）平衡邏輯功耗 / 漏電與性能，為 SRAM 定制 Bitcell 優(yōu)化的 Ribbon 寬度 —— 全面增強(qiáng) 18A 節(jié)點(diǎn)芯片性能與設(shè)計(jì)潛力。
另外，18A 采用了 PowerVia 技術(shù)，以背側(cè)供電走線替代前側(cè)走線，實(shí)現(xiàn)供電網(wǎng)絡(luò)解耦與獨(dú)立優(yōu)化，從而實(shí)現(xiàn)多重增益：
邏輯密度提升
標(biāo)準(zhǔn)單元利用率改善
信號 RC 值降低
電壓降（droop）收縮
設(shè)計(jì)靈活性進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)拓展
| 英特爾 18A 規(guī)格 | |
|---|---|
| HP / DR 庫高度 | 180/160nm |
| 接觸式多晶硅柵極間距 | 50nm |
| 金屬零層（M0）間距 | 32nm |
| HCC / HDC SRAAM 面積 | 0.023/0.021 μm2 |
| 正面金屬層數(shù)量 | 10ML（低成本、高密度），14-16ML（高性能） |
| 背面金屬層數(shù)量 | 3 ML + 3 ML |
通過這些改進(jìn)，Intel 18A 相比 Intel 3 實(shí)現(xiàn)了超過 15% 的單位功耗性能提升：
性能能效：1.1V 電壓下，18A 同頻性能較 Intel 3 提升約 25%；且支持 0.65V 以下低電壓運(yùn)行，同頻功耗最多降 38%。
密度提升：18A 較 Intel 3 最高實(shí)現(xiàn) 39%（平均 30%）密度提升，背側(cè)供電使單元利用率提 8-10%，單元利用率提高 8-10%，并將極端 IR 電壓降收縮至原來的 10%。
參數(shù)對比：HP 庫高度從 Intel 3 的 240nm 降至 180nm，HD 庫從 210nm 降至 160nm；M0 / M2 金屬層間距從 30/42nm 優(yōu)化為 32/32nm。
SRAM 縮放：18A 的高電流單元（HCC）密度較 Intel 3 提升 30%，HCC、HDC SRAM 面積分別達(dá) 0.0230μm2、0.0210μm2。
英特爾表示，18A 工藝將持續(xù)迭代：2026-2028 年將推出 18A-P 和 18A-PT 衍生版本（IT之家注：已于 2025 年 Direct Connect 大會(huì)公布），并開放客戶基于這些節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn)。
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