IT之家 8 月 19 日消息，臺媒《工商時報》本月 16 日報道稱，英偉達(dá)已啟動自家 HBM 內(nèi)存 Base Die（IT之家注：基礎(chǔ)裸片）設(shè)計計劃。英偉達(dá)未來的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)鏈將采用內(nèi)存原廠 DRAM Die + 英偉達(dá) Base Die 的組合模式，有望改寫下一代 HBM 市場競爭版圖。

據(jù)悉英偉達(dá)的自研 HBM Base Die 將采用 3nm 工藝制程，預(yù)計于 2027 年下半年開始小規(guī)模試產(chǎn)。這一時間點大致對應(yīng) "Rubin" 后的下一代 AI GPU "Feynman"。

由于傳輸速率、功能兩方面的要求提升，從 HBM4 開始 HBM 內(nèi)存的 Base Die 轉(zhuǎn)向邏輯半導(dǎo)體制程，而英偉達(dá)在這一領(lǐng)域的設(shè)計經(jīng)驗明顯多于 SK 海力士這樣的純存儲半導(dǎo)體制造商。

英偉達(dá)自研 Base Die 有助于加強(qiáng)其對 HBM 內(nèi)存的議價能力，利于向 Base Die 導(dǎo)入一系列高級功能，且能為采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模塊化組合。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。