IT之家 9 月 5 日消息，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司在 CSEAC 2025 第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展上發(fā)布了六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品，覆蓋刻蝕 / 蝕刻、原子層沉積 (ALD) 及外延工藝。
中微公司此次帶來了新一代極高深寬比等離子體刻蝕設(shè)備 —— CCP 電容性高能等離子體刻蝕機(jī) Primo UD-RIE。
這一機(jī)臺(tái)基于成熟的 Primo HD-RIE 設(shè)計(jì)架構(gòu)全面升級而來，擁有六個(gè)單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，配備更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，具有更高離子轟擊能量，能滿足極高深寬比刻蝕對精度和生產(chǎn)效率的嚴(yán)苛要求。
Primo UD-RIE 刻蝕機(jī)還引入了自研動(dòng)態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)、上電極多區(qū)溫控系統(tǒng)、溫度可切換多區(qū)控溫靜電吸盤、和主動(dòng)控溫邊緣組件等創(chuàng)新技術(shù)，改進(jìn)了晶圓邊緣刻蝕良率。
中微公司在刻蝕領(lǐng)域還有另一款新品亮相，這就是 Primo Menova 12 英寸 ICP 單腔刻蝕設(shè)備，其專注于金屬刻蝕尤其是鋁線鋁塊刻蝕領(lǐng)域，廣泛適用于功率半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器件及先進(jìn)邏輯芯片制造。
在 ALD 原子層沉積方面，中微公司帶來了三種不同版本的 12 英寸原子層沉積設(shè)備 Preforma Uniflash 金屬柵，包含 TiN / TiAl / TaN 三個(gè)分支，能滿足先進(jìn)邏輯與先進(jìn)存儲(chǔ)器件在金屬柵方面的應(yīng)用需求。
Preforma Uniflash 系列產(chǎn)品采用中微公司獨(dú)創(chuàng)的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)，系統(tǒng)可靈活配置多達(dá)五個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔，助力實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。
而對于 EPI 外延，中微公司則端出了全球首款雙腔減壓外延設(shè)備 PRIMIO Epita RP。該機(jī)臺(tái)擁有全球最小反應(yīng)腔體積且可靈活配置多至 6 個(gè)反應(yīng)腔，能降低消耗品用量、壓低生產(chǎn)成本、提升生產(chǎn)效率。
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