IT之家 11 月 25 日消息，2026 年度 IEEE ISSCC 國際固態(tài)電路會(huì)議將于明年 2 月 15~19 日在美國加州舊金山舉行，集成電路學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)界的最新成果將在這次行業(yè)盛會(huì)上集中展示。
IT之家注意到，存儲(chǔ)領(lǐng)域各大原廠將在該活動(dòng)上展示一系列值得關(guān)注的內(nèi)容：
在 DRAM 內(nèi)存底層架構(gòu)方面，三星電子將帶來以混合銅鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)單元和外圍堆疊的 VCT 垂直單元晶體管 4F2 立體構(gòu)型設(shè)計(jì) (15.10)。
在 LPDDR6 上，三星已宣布在明年初的 CES 上展出 12nm 制程的 10.7Gbps 版本，而 ISSCC 上則將有 16Gb 12.8Gbps 版本的介紹 (15.8)；而 SK 海力士的 1cnm 工藝 16Gb 14.4Gbps LPDDR6 也將亮相 (15.7)。
SK 海力士的 48Gbps 高速 24Gb 大容量 GDDR7 (15.9)。閃迪-鎧俠的六平面 2Tb QLC (15.1)、三星的 36GB 3.3TB/s HBM4 (15.6) 也都將亮相。
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