IT之家 1 月 16 日消息，據(jù) TrendForce 今天報道，在 AI 熱潮的當下，各大存儲廠商目前對 NAND 閃存產(chǎn)能擴張方面表現(xiàn)謹慎，并逐步淘汰 MLC 等舊產(chǎn)品。其中 SK 海力士就在去年 12 月公布了 5-Bit NAND 技術(shù)，讀取速度比傳統(tǒng) PLC 閃存快 20 倍。

據(jù)報道，海力士的 5-Bit NAND 技術(shù)采用了 Multi-Site Cell（MSC）NAND 方案，可將每個 3D NAND 單元一分為二，在提升單元數(shù)據(jù)容量的同時將所需的電壓減少三分之二。

結(jié)合 Blocks & Files 今天報道，SK 海力士還在 5-Bit NAND 中應(yīng)用了 4D 2.0 技術(shù)，解決了傳統(tǒng)存儲單元在超過 4 bit（IT之家注：QLC）后必定會遭遇的“電壓狀態(tài)壁壘”，可在不犧牲速度或耐久性的前提下實現(xiàn)每單元 5Bit 存儲。

目前，QLC 3D NAND 閃存已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，但存在讀取可靠性低、壽命較短等缺陷，因此 SK 海力士選擇將一個 NAND 存儲單元拆分為兩個相互獨立的“Site”，每個 Site 所使用的電壓更低，從而讓兩個 Site 實現(xiàn)更高的存儲密度。

同時，SK 海力士的這項技術(shù)還能將單顆 NAND Die 及 SSD 的存儲容量提升 25%。

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