IT之家 2 月 23 日消息，據(jù)路透社今日報(bào)道，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們已找到提升關(guān)鍵芯片制造設(shè)備光源功率的方法，到 2030 年可將芯片產(chǎn)量提高多達(dá) 50%。

IT之家注意到，阿斯麥極紫外（EUV）光源首席技術(shù)官邁克爾?珀維斯（Michael Purvis）在接受采訪時(shí)表示：“這不是花拳繡腿，也不是那種只能在極短時(shí)間內(nèi)演示可行的東西，這是一個(gè)能在客戶實(shí)際生產(chǎn)環(huán)境的所有相同要求下，穩(wěn)定輸出 1000 瓦功率的系統(tǒng)。”

報(bào)道稱，隨著周一公布的這一技術(shù)進(jìn)步，阿斯麥旨在通過改進(jìn)光刻機(jī)中技術(shù)難度最高的部分，進(jìn)一步拉開與所有潛在競爭對手的距離。這是一場生成具備合適功率和特性的極紫外光，以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量芯片制造的技術(shù)攻關(guān)，該公司研究人員已找到將 EUV 光源功率從目前的 600 瓦提升至 1000 瓦的方法。

其主要優(yōu)勢在于，更高的功率意味著每小時(shí)能制造更多芯片，從而降低單顆芯片的成本。芯片制造過程類似“打印”：極紫外光照射到涂有光刻膠的硅片上。借助功率更高的 EUV 光源，芯片廠所需的曝光時(shí)間將大幅縮短。

阿斯麥 NXE 系列 EUV 光刻機(jī)業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁滕?梵高（Teun van Gogh）表示，到 2030 年，升級后的設(shè)備每小時(shí)可處理約 330 片晶圓，而目前為 220 片。根據(jù)芯片尺寸的不同，每片晶圓可產(chǎn)出數(shù)百到數(shù)千顆芯片。

報(bào)道提到，阿斯麥通過強(qiáng)化其光刻機(jī)中最復(fù)雜的部件之一 —— 錫滴發(fā)生器，實(shí)現(xiàn)了功率提升。在該系統(tǒng)中，大量二氧化碳激光將錫滴加熱成等離子體（一種超熱物質(zhì)狀態(tài)），然后錫離子發(fā)出可用于芯片制造的極紫外光。

周一披露的關(guān)鍵進(jìn)展是將錫滴數(shù)翻倍至約每秒 10 萬次，并用兩次較小的激光脈沖將其塑形成等離子體，而現(xiàn)在的機(jī)器只能用一次成型。

珀維斯表示：“這非常具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)槟阈枰莆占{米級的精準(zhǔn)度，你必須掌握激光技術(shù)、等離子體科學(xué)以及材料科學(xué)?！彼a(bǔ)充道：“我們在千瓦級實(shí)現(xiàn)的成果意義重大，已經(jīng)看到了一條通往 1500 瓦的清晰路徑，從理論上講，未來突破 2000 瓦也不存在根本性障礙。”

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