IT之家 2 月 28 日消息，Youtube 頻道 V?t V? Studio 最新一期視頻中，主播 Long Ngong 極限測(cè)試了三星 Galaxy S26 和 Galaxy S26+ 手機(jī)的 Exynos 2600 芯片，發(fā)現(xiàn)三星已解決長期困擾用戶的發(fā)熱降頻問題。
IT之家附上相關(guān)測(cè)試視頻如下：
該主播為了驗(yàn)證 Exynos 2600 芯片的實(shí)際散熱能力，在約 26℃ 的室溫環(huán)境下，開啟最高畫質(zhì)后，連續(xù)運(yùn)行了《英雄聯(lián)盟手游》、《原神》和《崩壞》三款主流高負(fù)載游戲。
測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在運(yùn)行《英雄聯(lián)盟手游》時(shí)，Galaxy S26 基礎(chǔ)版的平均溫度僅為 32℃ 左右，表明該芯片在應(yīng)對(duì)常規(guī)高畫質(zhì)游戲時(shí)游刃有余。
在更高負(fù)載的測(cè)試場景中，溫控表現(xiàn)依然穩(wěn)健。主播使用 Galaxy S26+ 運(yùn)行《原神》超過 15 分鐘后，機(jī)身正面最高溫度約為 38℃，背面溫度則穩(wěn)定在 37℃ 至 37.5℃ 之間。
隨后在運(yùn)行《崩壞》時(shí)，盡管游戲幀率偶爾出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性下降，但機(jī)身正面最高溫度僅達(dá)到 39℃，背面最高溫度略超 38℃。
該主播指出三星 Galaxy S26/S26+ 上的出色溫控表現(xiàn)，得益于三項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的加持：
首先，Exynos 2600 首次采用了三星 2nm GAA（全環(huán)繞柵極）工藝，這種 3D 晶體管架構(gòu)通過垂直堆疊的納米片讓柵極完全包圍溝道，從而提升了靜電控制能力和整體能效。
其次，該芯片應(yīng)用了 FOWLP（扇出型晶圓級(jí)封裝）技術(shù)，通過晶圓級(jí)方法取代傳統(tǒng)基板，將輸入 / 輸出端子直接集成在硅晶圓上，打造出更薄、更高效的芯片形態(tài)。
最后，Exynos 2600 引入了創(chuàng)新的 HPB（熱傳導(dǎo)塊）技術(shù)。該技術(shù)采用與應(yīng)用處理器（AP）直接接觸的銅基散熱器，同時(shí)將 DRAM 移至側(cè)面，從而將熱阻改善了高達(dá) 30%。
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