IT之家 3 月 16 日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間 3 月 13 日，據(jù)韓媒 The Chosun Daily 報(bào)道，三星電子半導(dǎo)體（DS）業(yè)務(wù)今年預(yù)計(jì)將創(chuàng)下歷史最好業(yè)績(jī)。不過(guò)，公司內(nèi)部已經(jīng)開(kāi)始擔(dān)心，當(dāng)前由存儲(chǔ)芯片供應(yīng)緊張帶來(lái)的繁榮可能只會(huì)持續(xù)一到兩年，之后市場(chǎng)可能再度進(jìn)入下行周期。

隨著全球 AI 基礎(chǔ)設(shè)施投資迅速增加，存儲(chǔ)芯片需求預(yù)測(cè)的不確定性也在上升。行業(yè)曾出現(xiàn)過(guò)因誤判需求而過(guò)度擴(kuò)產(chǎn)的情況，隨后市場(chǎng)轉(zhuǎn)冷，企業(yè)承擔(dān)巨額虧損。

行業(yè)人士透露，三星電子 DS 部門(mén)管理層正在討論一種情形：全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能在 2028 年前后出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。因此，公司一方面希望抓住 AI 帶來(lái)的高利潤(rùn)機(jī)會(huì)，另一方面也在努力提升運(yùn)營(yíng)效率，避免再次出現(xiàn)過(guò)度投資。

三星正在擴(kuò)大 HBM 和先進(jìn) DRAM 工藝投資，同時(shí)也在研究應(yīng)對(duì)需求突然放緩的方案。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，AI 帶動(dòng)的存儲(chǔ)需求變得更加波動(dòng)，市場(chǎng)周期也明顯縮短，使得確定產(chǎn)能規(guī)模和投資節(jié)奏更加困難。

短期來(lái)看，擴(kuò)大 DRAM 和 HBM 供應(yīng)仍是行業(yè)共識(shí)。IT之家從報(bào)道中獲悉，英偉達(dá)、AMD 和博通等科技公司對(duì) HBM 需求強(qiáng)勁，這種需求預(yù)計(jì)至少會(huì)持續(xù)到明年。目前三星和 SK 海力士已有超過(guò)一半的 DRAM 銷售來(lái)自 HBM，隨著更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 HBM，智能手機(jī)、PC 和服務(wù)器使用的傳統(tǒng) DRAM 開(kāi)始出現(xiàn)供應(yīng)緊張。

NAND 閃存市場(chǎng)的風(fēng)險(xiǎn)可能更大。如果當(dāng)前擴(kuò)產(chǎn)速度持續(xù)，供應(yīng)過(guò)?？赡鼙?DRAM 更早出現(xiàn)。DRAM 市場(chǎng)主要由三星、SK 海力士和美光三家公司控制，在 NAND 市場(chǎng)，也有鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等更多競(jìng)爭(zhēng)者。隨著技術(shù)和產(chǎn)能提升，NAND 價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)近年來(lái)明顯加劇，三星和 SK 海力士也難以完全避免虧損。

一位熟悉三星情況的行業(yè)人士表示，去年夏天，三星和 SK 海力士都沒(méi)有預(yù)料到當(dāng)前這輪 AI 帶動(dòng)的市場(chǎng)繁榮，顯示出半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)已經(jīng)變得越來(lái)越困難。該人士還表示，正因如此，三星的“經(jīng)營(yíng)支持”團(tuán)隊(duì)正在圍繞更嚴(yán)格的市場(chǎng)驗(yàn)證和預(yù)測(cè)來(lái)制定投資計(jì)劃。

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