IT之家 5 月 12 日消息，美光今天宣布，已開始向關(guān)鍵合作伙伴提供 256GB DDR5 RDIMM（帶寄存器的雙列直插式內(nèi)存）樣品，傳輸速率最高可達(dá) 9200 MT/s。

據(jù)介紹，這款 256GB 內(nèi)存采用 3D 堆疊、TSV（IT之家注：硅通孔）互聯(lián)等先進(jìn)封裝技術(shù)。通過將多顆 DRAM 顆粒立體堆疊，配合 1-gamma 技術(shù)，為下一代 AI 服務(wù)器提供更優(yōu)能效表現(xiàn)。

美光指出，單條 256GB 內(nèi)存相比雙條 128GB 可降低 40% 運(yùn)行功耗，可減少能源消耗，提升能效。同時(shí)，高容量?jī)?nèi)存還能夠提升 CPU 可搭載的內(nèi)存容量。

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