IT之家 6 月 17 日消息，ZDNET Korea 今日報道稱，三星電子的下一代 DRAM 量產(chǎn)計劃正逐步明確。

消息人士透露，該公司目前正與多家合作伙伴共同開發(fā)用于第七代 10 納米級（1d）DRAM 的量產(chǎn)設(shè)備，目標(biāo)最早在明年第二季度開始導(dǎo)入相關(guān)設(shè)備。三星電子計劃最早于明年上半年啟動 1d DRAM 的初步量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。

據(jù)介紹，1d DRAM 的電路線寬約為 10~11 納米，相比當(dāng)前已商用的第六代 10 納米級（1c）DRAM 的 11~12 納米線寬進(jìn)一步縮小。線寬越窄，代表 DRAM 的性能和能耗控制水平越高。

此前三星電子已對 1d DRAM 進(jìn)行了包括初期樣品制作在內(nèi)的內(nèi)部量產(chǎn)評估。雖然一度有觀點認(rèn)為三星最早可能在今年內(nèi)啟動 1d DRAM 量產(chǎn)，但由于關(guān)鍵設(shè)備仍處于開發(fā)階段，這一預(yù)期被認(rèn)為不切實際。目前三星與合作方討論中的 1d DRAM 量產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)入目標(biāo)時間為明年第二季度?？紤]到實際量產(chǎn)準(zhǔn)備所需的時間，三星啟動 1d DRAM 初步量產(chǎn)的時間點最早也要到明年年底。

一位半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)人士表示：“三星電子正在與主要合作伙伴積極進(jìn)行研發(fā)，以穩(wěn)定 1d DRAM 的良率和性能。日程可能會有變動，但目標(biāo)是在明年第二季度或第三季度引入量產(chǎn)設(shè)備。”

另一位相關(guān)人士則表示：“三星電子的 1d DRAM 屬于開發(fā)進(jìn)展相對較高的工藝，預(yù)計明年可以開始量產(chǎn)，今年年底左右計劃將更加具體化?！?/p>

三星電子的 1d DRAM 預(yù)計將在其 AI 內(nèi)存業(yè)務(wù)中發(fā)揮重要作用。特別是計劃于 2029 年商業(yè)化的第九代高帶寬內(nèi)存（HBM5E），將采用 1d DRAM 作為核心芯片。IT之家后續(xù)將保持關(guān)注。

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