IT之家 6 月 29 日消息，臺媒《經(jīng)濟日報》今日報道稱，華邦電子 (Winbond) 將加入臺積電 WoW（晶圓對晶圓）3D 堆疊先進封裝的內(nèi)存晶圓供應(yīng)鏈，成為三大主要 DRAM 企業(yè)外的新的供應(yīng)方。
IT之家注意到，華邦早在 2023 年就開始布局 3D 堆棧 DRAM 相關(guān)技術(shù)，其 CUBE (3DCaaS) 方案可提供 8GB 容量和 256GB 帶寬。
當(dāng)前 AI 計算的一大瓶頸就是“內(nèi)存墻”，存儲帶寬影響了加速器的吞吐能力，導(dǎo)致 HBM 成為市場焦點、大容量 SRAM AI ASIC 備受重視。
而對于無需也用不起 HBM 的邊緣 AI 芯片，導(dǎo)入非 JEDEC 的寬 I/O 矮堆疊定制化內(nèi)存解決方案可提升最終性能和性價比。這部分需求恐怕也是促使臺積電在 WoW 上選擇結(jié)盟華邦電子的關(guān)鍵動力。
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