IT之家 6 月 29 日消息，SK 海力士今日正式宣布了其總額 1100 萬億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 4.84 萬億元人民幣）的中長期投資戰(zhàn)略，計劃在韓國龍仁、清州和西南區(qū)域進行大規(guī)模半導(dǎo)體產(chǎn)能建設(shè)。

SK 海力士在龍仁半導(dǎo)體集群的投資規(guī)模仍是 4 座晶圓廠共 600 萬億韓元，但其建設(shè)進度大幅加快，以滿足不斷增長的 DRAM 需求。這四座晶圓廠原定于 2045 年完工，但現(xiàn)在已加速到 2033 年完成第四座晶圓廠第一潔凈室 (Ph1) 的建設(shè)。

SK 海力士既有生產(chǎn)基地清州也將得到 100 萬億韓元的投資，這筆資金則將用于新建 NAND 晶圓廠、引入生產(chǎn)設(shè)備，并加強 HBM 后端先進封裝能力。

剩余的 400 萬億韓元則將用于韓國西南地區(qū)，主要圍繞存儲器前端制程展開。相關(guān)準備工作將立即開始，目前選址尚未確定。

SK 海力士在 Q&A 中還提到，如果滿足一系列基礎(chǔ)設(shè)施與半導(dǎo)體生態(tài)條件，在海外建設(shè)晶圓廠也可能被納入考慮范疇。該企業(yè)將根據(jù)未來的市場和業(yè)務(wù)狀況做出全面決策。

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