IT之家 6 月 30 日消息，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長官金正官 6 月 29 日宣布，韓國計劃投資約 800 萬億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 3.55 萬億元人民幣），在西南地區(qū)建設四座半導體晶圓廠，其中三星電子和 SK 海力士分別規(guī)劃建設兩座。

據(jù)追風交易臺今日報道，美銀證券分析師 Simon Woo 團隊以及高盛 Giuni Lee 團隊，相繼就這一計劃發(fā)布研究報告，表示受基建與投產(chǎn)周期制約，新產(chǎn)能最早需 8 至 10 年后方能實質(zhì)影響全球供給，短期供需格局不變，投資者不應對近期供給沖擊抱有過高預期。

韓國政府計劃未來 15 年投入 30 萬億韓元（現(xiàn)匯率約合 1329.9 億元人民幣），研發(fā)下一代存儲技術，并加快審批和基礎設施建設，盡快擴大存儲芯片產(chǎn)能。根據(jù)規(guī)劃，中部地區(qū)將重點發(fā)展先進封裝，東南部將打造半導體材料、零部件、設備及新一代功率半導體產(chǎn)業(yè)集群。金正官預計，未來五年全球存儲芯片市場規(guī)模將增長至目前的四倍。

韓國總統(tǒng)辦公室政策室長金容范此前表示，建設一座半導體晶圓廠大約需要 7 到 8 年的時間。正是因為建設周期長，才需要提前進行規(guī)劃和部署。金容范指出，由于 AI 行業(yè)對芯片的需求呈現(xiàn)“指數(shù)級和爆炸性增長”，兩家公司現(xiàn)有的龍仁半導體集群建設進程將大幅提前。

韓國存儲芯片廠商重申了到 2030 年將 DRAM 晶圓產(chǎn)能近乎翻倍的計劃，然而美銀證券指出，若將舊廠關閉和新一代存儲芯片更長制造周期兩個因素納入考量，實際運行晶圓產(chǎn)能的擴張速度每年將低于 10%，整體凈晶圓增長率到 2030 年僅為個位數(shù)百分比復合增長率。

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