IT之家 7 月 15 日消息，據(jù)韓國經(jīng)濟日報，三星電子計劃在其位于韓國京畿道器興的園區(qū)內(nèi)新建一座 DRAM 晶圓廠，規(guī)劃月產(chǎn)能達 10 萬片晶圓，項目總投資規(guī)模將達數(shù)十萬億韓元。

這片地塊原本規(guī)劃用于建設(shè)研發(fā)中心，此番調(diào)整為生產(chǎn)設(shè)施，市場普遍解讀為三星電子為應(yīng)對 AI 基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮下持續(xù)攀升的存儲芯片需求所做出的產(chǎn)能布局調(diào)整。報道稱，該項目最快可能于 2026 年第三季度正式動工。受此消息影響，三星電子股價上漲 7%。

器興園區(qū)在三星電子的半導(dǎo)體發(fā)展史上具有標志性意義。該園區(qū)自 1983 年投入運營，是韓國運營時間最長的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地之一，也是三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的起點。1992 年，三星正是在這里開發(fā)出全球首款 64Mb DRAM 芯片，從而奠定了其在全球存儲芯片市場的領(lǐng)先地位。

近年來，該園區(qū)主要負責(zé)成熟制程節(jié)點的生產(chǎn)，工藝能力可下探至 8 納米。2022 年，三星在器興園區(qū)內(nèi)動工興建了一個名為 NRD-K 的大型研發(fā)中心，該中心占地約 10.9 萬平方米，投資約 20 萬億韓元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 907.2 億元人民幣），預(yù)計在 2028 年至 2030 年間完全建成。該研發(fā)中心的一條研發(fā)專用生產(chǎn)線已于 2025 年中期投入運營，專注于新一代存儲器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的研發(fā)。此次計劃新建的 DRAM 工廠，則是在這一研發(fā)中心之外，于園區(qū)內(nèi)另辟地塊建設(shè)的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。

從更宏觀的視角來看，三星電子正同時在多個基地推進產(chǎn)能擴張。其平澤巨型園區(qū)目前是 HBM 生產(chǎn)的核心基地，三星也在全羅南道的光州推進兩座先進半導(dǎo)體晶圓廠的建設(shè)，總投資達 400 萬億韓元（現(xiàn)匯率約合 1.81 萬億元人民幣）。此外，三星還計劃將京畿道龍仁半導(dǎo)體集群內(nèi)首座晶圓廠的投產(chǎn)時間提前至 2029 年。在 HBM 領(lǐng)域，三星電子正試圖追趕已與英偉達建立早期供應(yīng)合作并占據(jù)優(yōu)勢的 SK 海力士。三星電子近期也在其平澤 P4 工廠安裝了一條月產(chǎn)能 10 萬片晶圓的新產(chǎn)線，可用于生產(chǎn)第六代 HBM（即 HBM4）。

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