IT之家 9 月 9 日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司昨日宣布近期成功利用自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備實(shí)現(xiàn)了 12 英寸 (300mm) 碳化硅 (SiC) 晶圓的剝離。
這一技術(shù)突破解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸，打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，有利于 12 英寸 SiC 晶圓的商業(yè)化。而面積更大的 SiC 晶圓意味著更低的晶邊損失和更大規(guī)模的一次處理能力，單位芯片成本能較 6 英寸晶圓降低 30%~40%。
相關(guān)閱讀：
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。