IT之家 10 月 20 日消息，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 在近日接受《日本經(jīng)濟新聞》采訪時表示，2026 年的 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)局面將比現(xiàn)在更為嚴峻。

Sumit Sadana 稱這是因為 HBM 對晶圓的消耗約是傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)品的三倍，三大內(nèi)存原廠的大量產(chǎn)能已投入到 HBM 上；而目前建設(shè)新的 DRAM 晶圓廠所需的時間和金錢成本也在上升，短時間內(nèi)無法大規(guī)模擴產(chǎn)。

這位 CBO 提到美光在 2026 年將小批量出貨 HBM4 內(nèi)存，有望在 HBM 領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高于 2025 年的市場占有，向 HBM 市占齊平整體 DRAM 的目標再進一步。

此外，美光看到從智能手機到汽車的整體產(chǎn)業(yè)平均 DRAM 搭載數(shù)量的提升，在車用產(chǎn)品方面美光將與客戶合作重新審視更高的定價水平；至于 DDR4 內(nèi)存，為滿足客戶需求美光決定稍微延長生產(chǎn)時間。

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