IT之家 10 月 20 日消息，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 在近日接受《日本經(jīng)濟(jì)新聞》采訪時(shí)表示，2026 年的 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)局面將比現(xiàn)在更為嚴(yán)峻。

Sumit Sadana 稱這是因?yàn)?HBM 對(duì)晶圓的消耗約是傳統(tǒng) DRAM 產(chǎn)品的三倍，三大內(nèi)存原廠的大量產(chǎn)能已投入到 HBM 上；而目前建設(shè)新的 DRAM 晶圓廠所需的時(shí)間和金錢成本也在上升，短時(shí)間內(nèi)無(wú)法大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。

這位 CBO 提到美光在 2026 年將小批量出貨 HBM4 內(nèi)存，有望在 HBM 領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高于 2025 年的市場(chǎng)占有，向 HBM 市占齊平整體 DRAM 的目標(biāo)再進(jìn)一步。

此外，美光看到從智能手機(jī)到汽車的整體產(chǎn)業(yè)平均 DRAM 搭載數(shù)量的提升，在車用產(chǎn)品方面美光將與客戶合作重新審視更高的定價(jià)水平；至于 DDR4 內(nèi)存，為滿足客戶需求美光決定稍微延長(zhǎng)生產(chǎn)時(shí)間。

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