IT之家 1 月 17 日消息，韓媒 IT Chosun 昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子的第六代 10 納米級(jí) DRAM 內(nèi)存制程工藝（IT之家注：即 1c nm）目前的良率已提升至約 60%，突破了量產(chǎn)盈虧平衡點(diǎn)。

此舉被視為一項(xiàng)重要里程碑，因?yàn)槿请娮?HBM4 內(nèi)存便基于 1c nm DRAM。DRAM Die 的更高良率有助于三星在 HBM4 上獲得更多的利潤(rùn)，進(jìn)一步提升業(yè)績(jī)表現(xiàn)。

報(bào)道表示，三星電子在 1c DRAM 上一改近期以良率優(yōu)先、謹(jǐn)慎推動(dòng)量產(chǎn)進(jìn)程的策略，回到了快速進(jìn)入量產(chǎn)以更積極回應(yīng)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)的傳統(tǒng)模式，這有利于從英偉達(dá)等重要客戶手中贏得訂單。

TrendForce 集邦咨詢此前表示，在規(guī)格要求提升、現(xiàn)有 HBM3E 平臺(tái)需求旺盛的推動(dòng)下，HBM 內(nèi)存的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快將于 2026Q1 末到來(lái)，三星電子、SK 海力士、美光仍有時(shí)間精進(jìn)產(chǎn)品良率表現(xiàn)。

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